Bild: Infineon Technologies
Mit Energiesparchips aus dem neue Halbleitermaterial Siliziumkarbid können deutliche Systemvorteile realisiert werden: Bis zu 80 Prozent geringere Energieverluste bei der Stromwandlung reduzieren bei gleicher Leistung die Baugrößen und die Systemkosten.
Bild: Infineon Technologies

F&E, Fertigung von Siliziumkarbid-Halbleitern

Infineon: 35 Mio. für Villach

Infineon errichtet ein globales Kompetenzzentrum für neue Halbleitertechnologie in Österreich und investiert 35 Millionen Euro in den Standort Villach.

Leistungshalbleiter auf Basis der herkömmlichen Siliziumtechnologie werden auch in den kommenden Jahren dominieren. Aber der Einsatz von Siliziumkarbid soll große Entwicklungsfortschritte ermöglichen. Denn mit Energiesparchips auf Basis der Siliziumkarbid-Technologie können deutliche Vorteile realisiert werden: Infineon spricht von bis zu 80 Prozent geringeren Energieverlusten bei der Stromwandlung, die bei gleicher Leistung die Baugrößen und die Systemkosten reduzieren. Damit bilden sie die Grundlage für effiziente, kleinere und leichtere Systemlösungen bei der Energiewandlung oder in der Elektromobilität.

35 Mio. Investment

Das Produktportfolio auf Basis der Siliziumkarbid-Technologie wird daher massiv ausgebaut, um die steigende Nachfrage unter anderem in den Bereichen Industrieelektronik, Elektromobilität und erneuerbarer Energieerzeugung zu bedienen. Im Zuge dieser strategischen Initiative investiert der Halbleiterkonzern noch im laufenden Geschäftsjahr 35 Millionen Euro in die Entwicklungs- und Fertigungsaktivitäten für Siliziumkarbid bei Infineon Austria in Villach. Das Investitionspaket umfasst die Weiterentwicklung von Halbleiter-Prozesstechnologien, Fertigungsanlagen sowie die Erweiterung von bestehender Produktionsinfrastruktur. Allein in Villach sollen dafür 30 zusätzliche, höchstqualifizierte Arbeitsplätze in Forschung, Technologieentwicklung sowie im Produktmanagement geschaffen werden.

"Wir sind überzeugt, dass die Siliziumkarbid MOSFET-Technologie gerade am Wendepunkt steht und kurz- und mittelfristig enormes Wachstumspotential hat", sagt Peter Wawer, Division-Präsident Industrial Power Control von Infineon. "Wir wollen in diesem Bereich eine globale Führungsrolle einnehmen und starten daher ein Investitionsprogramm, um unser Portfolio von Siliziumkarbid-Produkten in den Infineon-Divisionen Industrial Power Control, Automotive sowie Power Management & Multimarket offensiv zu erweitern. Der Standort Villach nimmt hier als Kompetenzzentrum für die Entwicklung und Fertigung von Siliziumkarbid-Halbleitern eine Schlüsselposition ein."

"Infineon in Villach arbeitet als wesentlicher Entwicklungs- und Innovationsstandort im Konzern bereits seit längerem mit neuen Halbleiter-Technologien wie Siliziumkarbid oder Galliumnitrid", erklärt Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende der Infineon Technologies Austria AG. "Auf Basis dieser jahrelangen Forschungs-, Entwicklungs- und Fertigungskompetenz können wir dieses Schwerpunktprogramm des Konzerns jetzt in Österreich etablieren. Nachdem Siliziumkarbid-Lösungen am weltweiten Markt für Leistungshalbleiter immer stärker nachgefragt werden, hat diese Kompetenzerweiterung einen extrem hohen Stellenwert für den Standort Villach."

Marktpotenzial spürbar

Infineon hat in den vergangenen Monaten bereits eine Reihe von neuen Siliziumkarbid-Produkten vorgestellt, die in Villach entwickelt und produziert wurden. Das Unternehmen will ein umfassendes Angebot von Siliziumkarbid-Lösungen entwickeln, das auf verschiedene Anwendungsgebiete zugeschnitten ist. So ist laut Infineon die steigende Nachfrage beispielsweise bei Ladestationen für Elektroautos mit deutlich schnelleren Ladezeiten, Wechselrichtern für Solarenergieanlagen oder auch im Bereich der unterbrechungsfreien Stromversorgung bereits deutlich spürbar. Gerade in diesen Märkten sei demnach in naher Zukunft ein sehr hohes Wachstumspotenzial zu erwarten.

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